长江存储实现对三星的技术专利许可。
韩国媒体ZDNet Korea独家报道,三星电子近日与中国存储芯片厂商长江存储签署专利许可协议,将从后者获得3D NAND“混合键合”专利,该专利是一种将晶圆和晶圆直接键合的尖端封装技术。
三星电子作为存储芯片行业的领头羊,从中国企业获得专利授权比较罕见。这家韩媒直言,由于工艺流程问题,三星难以规避中国企业的专利,获取授权是必然,未来的竞争可能会非常激烈。
三星此次获取长江存储专利授权,将主要用于下一代(V10)闪存芯片开发上,这代芯片计划于今年下半年量产,堆叠层数将达到420层-430层。为让V10芯片尽快量产,三星引入多项新技术,晶圆和晶圆之间的混合键合“至关重要”。这项技术,是因为“混合键合”技术省去传统芯片连接所需的凸块,缩短电路,并提高存储性能和散热特性,特别是晶圆之间的混合键合,它键合的是整个晶圆而不是芯片,在提高生产效率方面也具有优势。
2017年10月,长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式,成功设计制造中国首款3D NAND闪存。2019年9月,搭载长江存储自主创新Xtacking架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。2020年4月,长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功,其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存,拥有发布之时业界最高的I/O速度,最高的存储密度和最高的单颗容量。
长江存储跳过96层,成功研发基于Xtacking 2.0的128层QLC3D NAND闪存,短短3年实现从32层到64层再到128层的跨越。
长江存储通过在混合键合领域的长期积累,技术已经领先,该公司近期使用“Xtacking 4.x”版本实现270层高密度NAND的商业化(SK海力士去年底量产“全球最高”321层NAND闪存)。
“长江存储的2yy NAND芯片(预计270层),是我们在市场上发现的密度最高的NAND,更重要的是,它是业内第一个实现超过20Gb/mm2位密度的NAND。”TechInsights在报告中写道。
截至目前,长江存储专利申请数量超过1万件。正如前文所言,对于长江存储、长鑫存储这种新兴之秀而言,积累专利不仅是为推进技术,更为在专利战中进行防御。
中国科技创新而言,长江存储十年磨一剑的技术突破无疑令人振奋。在核心技术逐步追上甚至领先行业巨头之后,如何提升产能也成为长江存储的关键问题,这对能否改写行业格局也至关重要。
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